Professor

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

성명 범 진  

근무처 서울 마포구 백범로 35

서강대학교 공과대학 전자공학과 교수

 

전화: (02) 705-8909 

팩스: (02) 706-4216

실험실: (02) 714-6205

E-mail: burm@sogang.ac.kr

 

학력

서울대학교 자연과학대학 물리학과 졸업 학사 1987 2

미시간 대학교 (University of Michigan, Ann Arbor, MI) 물리학과 석사 1988 12

코넬대학교 (Cornell University, Ithaca, NY) 응용물리학과 석사 1992 8

코넬대학교 (Cornell University, Ithaca, NY) 응용물리학과 박사 1995 5

 

경력

Postdoctoral Associate, 코넬대학교 1995 7-1996 8

연구원, 벨연구소 (Bell Labs., Murray Hill, NJ) 1996 9-1998 2

서강대학교 공과대학 전자공학과 조교수 1998 3

서강대학교 공과대학 전자공학과 정교수 현재

 

연구분야

응용회로 : 광통신용 고속회로 (10 Gbit/s 40Gbit/s), 초고주파 집적회로 (RFIC, MMIC), Analog Front End 회로

Sensor interface 회로

반도체 소자 : GaN계 반도체소자 (주로 FET), GaAs계 반도체소자 (Photodetector HEMT), InP계 반도체소자 (Photodetector, HEMT, HBT) Schottky Barrier, Ohmic Contact, Carrier Transport, CMOS

 

학위논문

Monolithic Millimeter Wave Optical Receivers Using Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors and Pseudomorphic Modulation Doped Field Effect Transistors, Cornell University, May (1995)

 

저서

J. Burm, GaN Based Transistors, Chapter C4, Electronic Materials Information Service Datareview Series, J. H. Edgar, T. Strite, I. Akasaki, and H. Amano, Ed., in preparation to be published by The Institution of Electrical Engineers, Hertfordshire, United Kingdom.